Російською Та Українською Мовами
1. Нестабильность свойств поверхности и объема тонких слоев CdSe в присутствии кислорода / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк // Физика, химия, технические применения полупроводников А2В6: всесоюз. cовещ., 4-е: тез. докл. — К., 1976. — С. 180.
2. Влияние собственных и примесных дефектов на фоточувствительность мишеней видикона / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк, В.Д. Проничкин [и др.] // Получение и свой-
ства полупроводниковых соединений типа А2В6 и А3В5 и твердых растворов на их основе: всесоюз. конф., 1-я: тез. докл. — М., 1977. — Ч. 2. — С. 185.
3. Изменение удельного сопротивления слоев селенида кадмия в процессе их роста / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк, В.Д. Проничкин [и др.] // Структура и физические свойства тонких пленок: респ. конф.: тез. докл. — Ужгород, 1977. — С. 158–159.
4. О возможности применения слоев селенида кадмия для регистрации давления кислорода в воздухе / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк / Получение и свойства полупроводниковых соединений типа А2В6 и А3В5 и твердых растворов на их основе: всесоюз. конф., 1-я: тез. докл. — М., 1977. — Ч. 2. — С. 269–270.
5. О роли атомов кислорода и меди в процессах очувствления слоев селенида кадмия / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк, В.Д. Проничкин, Н.Н. Корнева // Структура и физические
свойства тонких пленок: респ. конф.: тез. докл. — Ужгород, 1977. — С. 156–157.
6. Полупроводниково-адсорбционный анализатор кислорода / В.А. Смынтына, В.А. Архипович, Г.С. Коробко, В.Д. Проничкин // Состояния и перспективы развития систем и приборов анализа состава веществ: респ. конф.: тез. докл. — К., 1978. — С. 76–77.
7. Элементарные преобразователи оптических сигналов в электрические на основе тонких пленок селенида кадмия / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк, О.Н. Баранов [и др.] // Всесоюз. семинар по оптическим и электрооптическим методам и средствам передачи, преобразования, переработки и хранения информации, 6-й: тез. докл. — М., 1978. — С. 70–71.
18. О природе k-центров медленной рекомбинации в неоднородных тонких слоях селенида кадмия / В.А. Смынтына, Ю.А. Вашпанов, В.В. Сердюк // Фотоэлектрические явления в полупроводниках: респ. конф.: тез. докл. — К., 1979. — С. 62–63.
19. Токовые неустойчивости в тонких пленках селенида кадмия / В.А. Смынтына, Ю.А. Вашпанов, В.В. Сердюк // Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках: симпозиум, 4-й: тез. докл. — Вильнюс, 1980. — С. 187.
20. Аномальная температурная зависимость электропроводности и эффект переключения в слоях соединений CdSxSe1-x / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич, В.В. Сердюк // Физика и
технология тонких пленок сложных полупроводников: респ. конф., 4-я: тез. докл. — Ужгород, 1981. — С. 125–126.
21. Отрицательный температурный коэффициент сопротивления и отрицательная фотопроводимость тонких пленок / В.А. Смынтына, Н.В. Головань // Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников: респ. конф., 4-я: тез. докл. — Ужгород, 1981. — С. 9-10.
22. Полупроводниковые первичные преобразователи концентрации кислорода в электрический сигнал на основе пленок селенида кадмия / В.А. Смынтына, В.Д. Проничкин, Ю.А. Вашпанов [и др.] // Всесоюз. семинар по оптическим и электрооптическим методам и средствам передачи, преобразования, переработки и хранения информации, 7-й: тез. докл. — М., 1981. — С. 100–101.
23. Полупроводниковые чувствительные элементы на основе пленок Cd1-xInxSe переменного состава / В.А. Смынтына, Ю.А. Вашпанов, В.В. Сердюк, В.П. Чистяков // Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников: респ. конф., 4-я: тез. докл. — Ужгород, 1981. — С. 126–127.
24. Нестационарные процессы на границах раздела кристаллитов в диэлектрических пленках селенида кадмия / В.А. Смынтына, Н.В. Головань // Физика диэлектриков: явления в тонкопленочных системах на границах раздела: всесоюз. конф.: тез. докл. — Баку, 1982. — С. 77–78.
25. О природе центров, определяющих качество оптического изображения в монокристаллических слоях селенида кадмия / В.А. Смынтына // Оптическое изображение и регистрирующие среды: всесоюз. конф.: тез. докл. — Л., 1982. — С. 296.
26. Особенности фотоэлектрических свойств тонких пленок CdS, полученных методом ЭГДРЖ / В.А. Смынтына, А.Е. Турецкий, Г.Г. Чемересюк // Респ. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, 2-я: тез. докл. — К., 1982. — С. 224–227.
27. Свойства и состав пленок CdS, полученных новым методом ЭГДРЖ / В.А. Смынтына, А.Е. Турецкий, Г.Г. Чемересюк (ДСП) // Всесоюз. науч. конф. по микроэлектронике, 10-я: тез. докл. — Таганрог, 1982. — С. 186–187.
28. Температурная деградация электрофизических и структурных свойств пленок селенида кадмия / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич, В.В. Сердюк [и др.] // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: всесоюз. конф.: тез. докл. — Кишинев, 1982. — С. 53.
29. Адсорбционно-десорбционная чувствительность полупроводников / В.А. Смынтына Ю.А. Вашпанов, В.В. Сердюк // Физико-химические методы и инженерно-технические решения в газоаналитическом приборостроении: всесоюз. науч.-техн. конф.: тез. докл. — М., 1984. — С. 80–82.
30. Влагочувствительные элементы на основе тонких пленок селенида кадмия / В.А. Смынтына, Н. В. Головань // Физико-химические методы и инженерно-технические решения в газоаналитическом приборостроении: всесоюз. науч.-техн. конф.: тез. докл. — М., 1984. — С. 113.
31. Влияние условий конденсации и толщины пленок на их адсорбционную чувствительность / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк, А.Н. Мандрик [и др.] // Физико-химические методы и инженерно-технические решения в газоаналитическом приборостроении: всесоюз. науч.-техн. конф.: тез. докл. — М., 1984. — С. 112.
32. Исследование возможности создания газоанализатора на основе полупроводниковой пленки сульфида кадмия / В.А. Смынтына, В.В. Голованов, Г.К. Павленко, А.М. Шмилевич // Физико-химические методы и инженерно-технические решения в газоаналитическом приборостроении: всесоюз. науч.-техн. конф.: тез. докл. — М., 1984. — С. 110.
33. Немонотонная кинетика электропроводности полупроводниковых пленок / В.А. Смынтына // Физика поверхностных явлений в полупроводниках: совещ., 8-е: тез. докл. — К., 1984. — Ч. 2. — С. 89–90.
34. Формирование электрофизических свойств полупроводниковых пленок в процессе их изготовления / В.А. Смынтына, В.В. Сердюк, Ю.В. Ковалев [и др.] // Физико-химические
методы и инженерно-технические решения в газоаналитическом приборостроении: всесоюз. науч.-техн. конф.: тез. докл. — М., 1984. — С. 111.
35. Отрицательная фотопроводимость пленок CdSe1-xOx, обусловленная электронно-молекулярным взаимодействием на поверхности / В.А. Смынтына, Н.В. Головань // Материаловедение халькогенидных полупроводников: всесоюз. науч.-техн. конф., 2-е: тез. докл. — Черновцы, 1986. — Т. 1. — С. 182.
36. Фотоэлектрические свойства полупроводниковых пленок селенида кадмия, определяемые собственными дефектами / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич, В.В. Сердюк // Материаловедение халькогенидных полупроводников: всесоюз. науч.-техн. конф., 2-я: тез. докл. — Черновцы, 1986. — Т. 1. — С. 195.
37. Датчики для автоматического контроля атмосферного воздуха / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич, В.В. Сердюк // Современные методы и средства автоматического контроля атмосферного воздуха и перспективы их развития: всесоюз. науч. — техн. конф.: тез. докл. — К., 1987. — С. 93–94.
38. Исследования параметров кислородных уровней в пленках и монокристаллах селенида кадмия / В.А. Смынтына, В.С. Бабинчук // Современные методы и средства автоматического контроля атмосферного воздуха и перспективы их развития: всесоюз. науч.-тех. конф.: тез. докл. — К., 1987. — С. 64–65.
39. ППЧЭ на основе пульверизованных слоев и стабилизация их параметров / В.А. Смынтына, Н.В. Головань, В.Г. Кальницкий // Современные методы и средства автоматического контроля атмосферного воздуха и перспективы их развития: всесоюз. науч.-тех. конф.: тез. докл. — К., 1987. — С. 67–68.
40. О природе центров хемосорбции кислорода на поверхности пленок селенида кадмия / В.А. Смынтына, А.И. Сенкевич, В.А. Герасютенко [и др.] // Пути совершенствования технологии полупроводниковых и диэлектрических материалов электронной техники: всесоюз. науч.-технич. совещание: тез. докл. — Одесса, 1988. — С. 66.
41. Полупроводниковые пленочные элементы, адсорбционно-чувствительные к кислороду / В.А. Смынтына, Я.И. Лепих, А.А. Римашевский // Пути совершенствования технологии полупроводниковых и диэлектрических материалов электронной техники: всесоюз. науч.-технич. совещание: тез. докл. — Одесса, 1988. — С. 168.
42. Свойство материалов электронной техники группы А2В6, полученных новым технологическим методом / В.А. Смынтына, Н.В. Головань, А.М. Шмилевич // Пути совершенствования технологии полупроводниковых и диэлектрических материалов электронной техники: всесоюз. науч.-технич. совещ.: тез. докл. — Одесса, 1988. — С. 164.
43. Структурные превращения в поликристаллическом селениде кадмия, стимулированные упругими напряжениями / В.А. Смынтына, Г.В. Бернштейн, В.С. Гриневич // Всесоюз. конф. по физике полупроводников, 9-я: тез. докл. — Кишинев, 1988. — Т. 2. — С. 10–11.
44. Термоактивированная деградация фотоэлектрических свойств пленок селенида кадмия / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич, В.В. Сердюк // Химия, физика, технология применения полупроводников: всесоюз. конф., 7-я: тез. докл. — Ужгород, 1988. — Ч. 3. — С. 317.
45. Усовершенствования технологии изготовления адсорбционно-чувствительных полупроводниковых элементов / В. А. Смынтына, В. С. Гриневич, В. В. Сердюк // Пути совершенствования технологии полупроводниковых и диэлектрических материалов электронной техники: всесоюз. науч.-технич. совещ.: тез. докл. — Одесса, 1988. — С. 26–27.
46. Электронные процессы, обусловленные сложной барьерной структурой пленок селенида кадмия / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич, В.В. Сердюк // Электронные процессы на поверхности и тонких слоях полупроводников: всесоюз. симпозиум, 9-й: тез. докл. — Новосибирск, 1988. — Ч. 1. — С. 126.
47. Сенсоры для определения газов на основе сульфида кадмия / В.А. Смынтына, В.В. Голованов, А.И. Гудис // Химические сенсоры-89: всесоюз. конф.: тез. докл. — Л., 1989. — Т. 2. — С. 174.
48. Особенности рекомбинации в тонких пленках сульфида кадмия, обусловленные электронно-молекулярными процессами в области межзеренных границ / В.А. Смынтына, В.В. Голованов, А.И. Гудис, В.В. Курков // Всесоюз. конф. по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок, 3-я: тез. докл. — Ивано-Франковск, 1990. — С. 200.
49. Поликристаллический двухфазный селенид кадмия как элементная база готовых датчиков / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич // Пути развития элементной базы и совершенствование технологии изготовления РЭА: науч.-техн. семинар: тез. докл. — Севастополь, 1990. — С. 49.
50. Тонкопленочные полупроводниковые сенсоры для регистрации микроконцентраций газов / В.А. Смынтына, В.В. Голованов, В.В. Курков // Аналитическая аппаратура и средства вычислительной техники для охраны окружающей среды в теплоэнергетике: всесоюз. конф., 3-я (Батуми, 1990): тез. докл. — К., 1990. — С. 50.
51. Аномальная фотоадсорбция на поверхности селенида кадмия / В.А. Смынтына, Н.В. Головань // Всесоюз. конф. приборостроителей, 2-я: тез. докл. — Ашхабад, 1991. — С. 129–131.
52. Деградационное убывание равновесной электропроводности в поликристаллической матрице сенсора / В.А. Смынтына, В.С. Гриневич, В.В. Сердюк // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: всесоюз. конф.: тез. докл. — Кишинев, 1991. — Ч. 1. — С. 124.
53. Отрицательная фотопроводимость окисленных полупроводниковых пленок CdSe1-xOx / В.А. Смынтына, Н.В. Головань // Физика окисных пленок: всесоюз. науч. конф., 3-я: тез. докл. — Петрозаводск, 1991. — Т. 1. — С. 63.
54. Характеризация тонких поликристаллических пленок CdS:Na / В.А. Смынтына, В.В. Голованов // Дефекты в полупроводниках: нац. конф., 1-я: тез. докл. — СПб., 1992. — С. 56.
55. Cпособ измерения окиснометаллических сенсоров / В.А. Смынтына, В.В. Курков, В.П. Чистяков // Конф. стран СНГ, 16-я: тез. докл. — Одесса, 1993. — С. 23–25.
56. Релаксация тока в микропористом кремнии / В.А. Смынтына, Ю.А. Вашпанов, Азат Халмурат // Дисперсные системы: науч. конф. стран СНГ, 18-я (Одесса, Украина): тез. докл. — Одесса, 1998. — С. 45–47.
57. Физические основы работы оригинального сенсора для регистрации оптических и рентгеновских изображений / В. Сминтина, В. Боршак, М. Куталова, Н. Затовская //
Міжнар. школа-конференція з актуальних питань фізики напівпровідників: тези доп. — Дрогобич, 1999. — С. 101.
58. Люминесцентные свойства наночастиц сульфида кадмия, диспергированных в коллоидных растворах / Смынтына В.А., Скобеева В.М., Малушин Н.В // Дисперсные системы: науч. конф. стран СНГ, 20-я (23–27 сент. 2002 г., Одесса, Украина): тез. докл. — Одесса, 2002. — С. 190–191.
59. Оптичні властивості наночастинок сульфіду кадмію у стабілізуючих розчинах / В.А. Сминтина, М.М. Воронцова // Українська наук. конф. з фізики напівпровідників, УНКФН-1 ( з міжнародною участю), перша (Україна, Одеса, 10–14 вересня 2002 р.): тези доп. — Одеса, 2002. — Т. 2: Стендові доповіді. — С. 136.
60. Особенности деградации адсорбционной чувствительности тонких пленок SnO2/ Смынтына В.А., Витер Р.В., Евтушенко Н.Г. [и др.] // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнарожною участю), перша (Україна, Одеса 10–14 вересня 2002 р.): тези доп. — Одеса, 2002. — Т. 2: Стендові доповіді. — С. 189.
61. Особенности температурной зависимости люминесценции пленок теллурида цинка, легированных кислородом / В.А. Смынтына, Н.В. Малушин, В.Н. Скобеева // Українська
наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнародною участю), перша (Україна, Одеса 10–14 вересня 2002 р.): тези доп. — Одеса, 2002. — Т. 2: Стендові доповіді. — С. 68.
62. Применение сенсоров на основе неидеального гетероперехода для регистрации рентгеновских изображений / Смынтына В.А., Борщак В.А., Куталова М.И. [и др.] // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнародною участю), перша (Україна, Одеса 10–14 вересня 2002 р.): тези доп. — Одеса, 2002. — Т. 2: Стендові доповіді. — С. 209.
63. Сенсор нового типа для регистрации оптических и рентгеновских изображений / В.А. Смынтына, В.А. Борщак, Н.П. Затовская // Датчик — 2003: тез. конф. — Судак, 2003. — С. 141–142.
64. Факторы, определяющие динамический диапазон сенсоров оптического и рентгеновского изображения на основе неидеального гетероперехода / В.А. Смынтына, В.А. Борщак, А.П. Балабан // Физика и технология тонких пленок: междунар. конф.,
9-я: тез. докл. — Ивано-Франковск, 2003. — Т.1. — С. 157.
65. Люминесцентные характеристики наноструктур на основе сульфида кадмия / В.А. Смынтына, В.М Скобеева., Н.В. Малушин // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології: міжнар. наук.-техн. конф.: тез. доп. — Одеса, 2004. — С. 56.
66. Оптические свойства коллоидных систем с полупроводниковыми наночастицами / В.А. Смынтына, В.М. Скобеева, Н.В. Малушин // Дисперсные системы: науч. конф. стран СНГ, 21-я (20–24 сент. 2004 г., Одесса, Украина): тез. докл. — Одесса, 2004. — С. 265–266.
67. Применение неидеальных гетероструктур для создания сенсоров изображения, работающих в оптическом и рентгеновском диапазонах / В.А. Смынтына, В.А. Борщак, Н.П. Затовская // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (SEMST-1): міжнар. наук.-техн. конф. (1-5 черв. 2004 р., м. Одеса): тези доп. — Одеса, 2004 — С. 7.
68. Фотоэлектрические свойства наноструктур на основе сульфида кадмия / В.А. Смынтына, В.Д. Проничкин, В.М. Скобеева // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (SEMST-1): міжнар. наук.-техн. конф. (1-5 черв. 2004 р., м. Одеса): тези доп. — Одеса, 2004. — С. 58.
70. Оптичні дослідження наноструктурованих плівок Sn02, отриманих з використанням полімерів / В.А. Сминтина, Л.М. Филевська, М.І. Куталова // Фізика в Україні: всеукр.
з’їзд (3–6 жовт. 2005 р. Одеса, Україна): тези доп. — Одеса: Астропринт, 2005. — С. 189.
71. Сенсор зображення з жорстким растром / В.А. Сминтина, В.А. Борщак, Н.П. Затовська // Фізика в Україні: всеукр. з’їзд (3-6 жовт. 2005 р. Одеса, Україна): тези доп. — Одеса, 2005. — С. 137.
72. Люминесценция коллоидных нанокристаллов сульфида кадмия / В.А. Смынтына, В.М. Скобеева, Н.В. Малушин // Дисперсные системы: науч. конф. стран СНГ, 22-я (18–22 сент. 2006 г., Одесса, Украина): тез. докл. — Одесса, 2006. — С. 309.
73. Особенности оптических свойств и морфология поверхности наноструктурированных пленок Sn02для сенсорной электроники / В.А. Смынтына, Л.Н. Филевская, В.С. Гриневич // Сенсорна електроніка та мікросистемні технологїї (СЕМСТ-2): міжнар. наук. — техн. конф., друга (26–30 черв. 2006 р., Одеса, Україна): тези доп. — Одеса, 2006. — С. 234.
74. Особенности температурной зависимости кинетики сигнала твердотельного сенсора изображения на основе неидеального гетероперехода / В.А. Смынтына, В.А. Борщак, А.П. Балабан // Сенсорна електроніка та мікросистемні технологїї (СЕМСТ-2): міжнар. наук. — техн. конф., друга (26–30 черв. 2006 р., Одеса, Україна): тези доп. — Одеса, 2006. — С. 101.
75. Температурная зависимость параметров кремниевых МОП и PIN-фотоприемных структур при наличии структурных дефектов / В. А. Смынтына, О. А. Кулинич, М. А. Глауберман // Сенсорна електроніка та мікросистемні технологїї (СЕМСТ-2): міжнар. наук. — техн. конф., друга (26–30 черв. 2006 р., Одеса, Україна): тези доп. — Одеса, 2006. — С. 262.
76. Підвищення ефективності люмінесценції нанокристалів CdS методом пасивації поверхні / В.А. Сминтина, В.М. Скобеева, О.В. Тюрін // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), 3-я (17–22 червня 2007 р., Одеса, Україна): тези доп. — Одеса, 2007. — С. 260–261.
78. Структурно-полиморфные изменения макродефектов в кремнии при температурном воздействии / Смынтына В.А., Кулинич О.А., Глауберман М.А. [и др.] // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФП — 3), 3-я (17–22 червня 2007 р., Одеса, Україна): тез. доп. — Одеса, 2007. — С. 433.
79. Технологические факторы поверхностной морфологии и оптического поглощения наноструктурированных слоев двуокиси олова / В.А. Смынтына, Л.Н. Филевская, В.С. Гриневич // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), 3-я (17–22 червня 2007 р., Одеса, Україна): тези доп. — Одеса, 2007. — С. 441.
80. I-V characterization of tin oxide nanocrystalline films for optical fiber sensors / V.A. Smyntyna, R. Viter, Yu. Nitsuk // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), 3-я (17–22 червня 2007 р., Одеса, Україна): тези доп. — Одеса, 2007. — C. 347.
81. Photoluminescent (PL) and optical properties of nanocrystalline tin oxide films / V. A. Smyntyna, R. Viter, Yu Nitsuk // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), 3-я (17–22 черв. 2007 р., Одеса,Україна): тези доп. — Одеса, 2007. — C. 348.
82. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны нанокристаллов CdS, выращенных в органической матрице / В.А. Смынтына, В.М. Скобеева, Т.Ф. Махиборода // Ломоносов — 2007: междунар. науч. конф. студ., аспирантов и молодых ученых. — Севастополь, 2007. — С.151–153.
83. Влияние состава матрицы на оптические и электрофизические свойства получаемых на ее основе композитов / В.А. Смынтына, А.А. Александров, А.П. Чебаненко // Ломоносов — 2008: междунар. науч. конф. студ., аспирантов и молодых ученых. — Севастополь, 2008. — С. 381–382.
84. Влияние внешних факторов на стабильность оптических свойств нанокристаллов CdS / В.А. Смынтына, В.М. Скобеева, И.П. Нагуляк // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн. конф., 3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп. Секц. 8: Наносенсори (фізика, матеріали, технологія) = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 8: Nanosensors (physics, materials, technology). — Одеса, 2008. — С. 283. — Текст: укр., рос., англ.
85. Влияние примесей матричного раствора на размер нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных по методу золь-гель технологии // В.А. Смынтына, В.М. Скобеева, Т.Ф. Завезион // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн. конф., 3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп. Секц. 10: Матеріали для сенсорів = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3-rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 10: Materials for sensors. — Одеса, 2008. — С. 335. — Текст: укр., рос., англ.
86. Вплив зовнішніх факторів на ефективність сенсора зображення на основі неідеального гетеропереходу / В.А. Сминтина, А.П. Балабан, В.А. Борщак // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн.конф., 3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп. Секц. 10: Матеріали для сенсорів = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3-rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 10: Materials for sensors. — Одеса, 2008. — С 243.
87. Вплив складу прекурсору на оптичні властивості наноструктурованих плівок двоокису олова / В.А. Сминтина, Л.М. Філевська, В.С. Гріневич // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн. конф., 3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп. Секц. 10: Матеріали для сенсорів = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3-rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 10: Materials for sensors. — Одеса, 2008. — С. 308. — Текст: укр., рос., англ.
88. Деградація параметрів кремнієвих сенсорів / В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, І.Р. Яцунский // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн. конф., 3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп.: Секц. 13: Деградація, метрологія та атестація сенсорів = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3-rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 13: Sensor degradation, metrology and certification. — Одеса, 2008. — С. 360. — Текст: укр., рос., англ.
89. Исследование оптичемких, элктрофизических и адсорбционночувствительных свойств структуры пористое стекло-полупроводник / В.А. Смынтына, Р.В. Витер, С.А. Гевелюк, И.К. Дойчо, Ю.В. Ишков, С.В. Водзинский, И.П. Конуп, А.П. Балабан, Н.П. Затовская // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн. конф.,3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп. Секц. 10: Матеріали для сенсорів = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3-rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 10: Materials for sensors. — Одеса, 2008. — С. 333. — Текст: укр., рос., англ.
90. Получение нанокристаллов сульфида кадмия методом золь-гель технологии в желатиновом растворе и исследование их оптических свойств / В.А. Смынтына, В.М. Скобеева, Д.А. Струц // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн. конф., 3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп. Секц. 8: Наносенсори (фізика, матеріали, технологія) = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3-rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 8: Nanosensors (physics, materials, technology). — Одеса, 2008. — С. 290. — Текст: укр., рос., англ.
91. Розробка та дослідження напівпровідникових матеріалів і комплексних сполук перспективних для фотоніки / В.А. Сминтина, Я.І. Лепіх // Сучасні проблеми електроніки: міжнар. наук. семінар.: тези доп. — Л., 2008. — С. 55–56.
92. Структура и оптические свойства композитов (желатин-агаровая матрица / нанокристаллы А2В6) / В.А. Смынтына, А.А. Александров, А.П. Чебаненко // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-3): міжнар. наук.-техн. конф., 3-я (2-6 черв. 2008 р.): тези доп. Секц. 8: Наносенсори (фізика, матеріали, технологія) = Sensors Electronics and Microsystems Tecnology (SEMST-3): Internat. scient. and techn. conf., 3-rd (June 2-6, 2008): abstr. Sec. 8: Nanosensors (physics, materials, technology). — Одеса, 2008. — С. 120.